bitpie网站 三星 1.4nm 工艺细节初度曝光，纳米片数目加多到 4 个

IT之家 11 月 1 日音尘，阐述 DigiTimes 报谈bitpie网站，Samsung Foundry 副总裁 Jeong Gi-Tae 露馅，三星行将推出 SF1.4（1.4 nm）工艺中，纳米片（nanosheets）的数目从 3 个加多到 4 个，有望深远改善性能和功耗。

三星正在寻求扩大其在 Gate-All-Around (GAA) 平台方面的跳跃地位，在推出基于 GAA 的 SF3E 之后，筹算 2027 年上线 SF1.4（1.4nm）工艺，通过加多纳米片数目进一步改善工艺。

每个晶体管加多纳米片数目，不错增强驱动电流，从而晋升性能，更多的纳米片允许更多的电流流过晶体管，从而增强其开关智商和运转速率。

此外bitpie网站，更多的纳米片不错更好地遏抑电流，这有助于减少走电流，从而裁汰功耗。此外，纠正的电流遏抑还意味着晶体管产生的热量更少，从而晋升了功率成果。

IT之家此前报谈，三星还筹算在 1.4nm 工艺中给与背部供电（BSPDN）工夫，旨在更好地挖掘晶圆后面空间的后劲，但于今仍未在大家领域内实际。

诚然当今半导体行业已不再使用栅极长度和金属半节距来为工夫节点进行系统定名，但毫无疑问当今的工艺工夫亦然数字越小越先进。

跟着半导体工艺微缩途径束缚地上前发展，集成电路内电路与电路间的距离也束缚缩窄，从而对互相产生插手，而 BSPDN 工夫则不错克服这一限度，这是因为咱们不错应用晶圆后面来构建供电途径，以分隔电路和电源空间。

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《三星筹算 2027 年让 1.4nm 工艺用上 BSPDN 背部供电工夫》

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